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bob体育:单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷

发布日期:2019-11-04 00:00 来源: 点击:

近年来宽禁带(Eg>2.3V)半导体材料发展十分迅速,称为第三代电子材料。主要包括SiC、金刚石、GaN等。同一、二代电子材料相比,第三代电子材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,单晶材料非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。利用其禁带宽度,还可以制作蓝绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。

其中蓝宝石晶体材料是一种商业化前景好的光电子材料,它具有某些其他材料不可比的优越性。因此许多大公司、实验室、高等院校和科研所都投入大量人力物力开发这种新型光电子器件,但是第三代半导体材料的单晶材料晶体生长都比较困难。GaN的熔点高,很难采用常规的方法直接生长GaN体单晶。因此为了满足制作器件的需要,各种外延技术仍是获得高质量、大尺寸单晶片的主要方法。

采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的单晶材料蓝宝石单晶中的位错缺陷。发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104-105cm-2。在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错为清晰、准确,效果佳。


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